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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      320

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      400

      最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      15

      驱动电压（yā）(V)：

      10

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3/-55~125

      描述：

      700V,400mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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